首页互动交流区粉丝杂谈

三星:3nm工艺最早2021年量产

粉丝杂谈 ▪ 爱·分享

2019-01-23 21:05

IT之家1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,三星宣布了5/4/3nm工艺技术。据今日Tom's Hardware带来的消息,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。

除此之外,三星方面还表示,将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片。在去年,三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET,或称“环绕式结构FET”)工艺。不过包括Garner副总裁Samuel Wang在内的一些业内人士,对GAAFET芯片是否能在2022年前投入生产表示了怀疑。

虽然台积电、格罗方德Global Foundries)在EUV芯片开发上方面并不落后,但三星也有自己的一个优势。三星已经在内部开发了自家了EUV掩膜检测工具,只是尚未开发出类似的商业工具。


举报回复

请您选择举报理由
close

设置帖子

设置帖子
备注
close

操作记录

操作记录
操作者 时间 操作 备注
close

编辑回复

close

VOC推送

VOC推送
帖子标题: 三星:3nm工艺最早2021年量产
所属版块: 互动交流区>粉丝杂谈
部 门:
备注信息:
消息内容:
close

温馨提示

VOC帖子推送
该版块未设置问题反馈主题,不能被推送为VOC
帖子名称: 三星:3nm工艺最早2021年量产
所属板块: 互动交流区>粉丝杂谈
close

删除帖子

删除帖子
删除原因
close

审核帖子

帖子名称 三星:3nm工艺最早2021年量产
*审核状态
*备注信息:
close