三星在本周三发布的新闻稿中宣布，全球第一个采用极紫外光（EUV）微影设备的 7 纳米 LPP（Low Power Plus）制程，已准备好于 2018 下半年投产。三星的目标很明确，就是成为未来先进运算与物联网芯片生产技术的领导者，并进而分食台积电的晶圆代工订单。
尽管外界看好台积电在 7 纳米制程竞赛仍居领先地位，但三星将是第一个在 7 纳米制程导入 EUV 微影技术并成功量产的晶圆代工厂，为下一世代制程反超前台积电奠定基础。三星在新闻稿同时预告 5 纳米、4 纳米与 3 纳米制程的开发计划。
其中，5nm LPE工艺相较于7nm LPP，会进一步缩小芯片核心面积，带来更低的功耗；4nm LPE/LPP将会成为三星最后一次在芯片上使用FinFET技术，进步压缩芯片面积。3nm GAAE/GAAP则采用了全新的GAA（Gate-All-Around，环绕栅极）纳米技术，需要重新设计晶体管底层结构，克服当前技术的物理、性能极限，增强栅极控制，性能大大提升。
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