据Ars Technica网站报道，三星开始了第二代高位宽显内存（HBM2）颗粒的量产，这一采用20nm 制程的产品支持高达256 GB每秒的速率，较应用于AMD Fury显卡上的第一代HBM高出一倍。这一技术亦可以将目前显卡产品的4GB显存容量限制进一步提升至16GB，也就是说，未来的显卡能够配备容量更大的显存。与初代HBM不同，HBM2采用堆叠工艺，DRAM颗粒彼此间相互叠加，通过硅通道垂直连接，进而可以通过堆叠通道底部的中介层与GPU直接连接。由于芯片间的距离更加接近，因此在提升速率的同时，也进一步降低了功耗。
理论上，采用HBM2的显卡将具备高达每秒1024GB的显存带宽，这一速率两倍于Fury X显卡系列，更是三倍于英伟达的Titan X。
三星目前采用4GB的堆叠工艺，其计划于今年晚些时候开始采用8GB工艺生产。
显存带宽的进一步提升有望为用户带来更高的帧率，这一点在VR应用领域尤为重要。此外，由于HMB2显存的功耗更低，GPU有望获取更大动力，进一步提升显卡的整体性能。AMD表示，通过采用HBM技术，其Fury X显卡在显存方面的功耗最多减少了40至50瓦。
AMD将在即将面市的Polaris架构产品上采用HBM2技术，而英伟达也将在Pascal上采用。
英特尔在某些处理器中采用EDRAM并获得了一定程度的成功，但HBM2技术无疑能够为GPU在带宽方面带来更大的改善。虽然采用HBM2的APU无法对高端显卡形成威胁，但中低端的产品很快将会感受到一定程度的压力。
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