SK海力士表示，这种低功耗双倍数据速率的4X芯片具有世界上最高的8GB密度，据说比目前Galaxy S7和Galaxy S7 Edge使用的LPDDR4多出20%的功率效率。，它使用双通道技术连接两个堆叠在四层当中的8GB DRAM芯片。存储器芯片尺寸为12毫米x 12.7毫米，深度为1毫米。这意味着，与目前的8GB DRAM芯片相比，它在移动设备中占用的空间减少了约30%。新芯片使用64位输入输出端口每秒可以处理34.1GB数据。
新芯片最有可能在Galaxy S8当中与高通骁龙835处理器协同工作，它的尺寸也比其前身更小，性能有所提高，高通骁龙835处理器内建Adreno 540图形处理单元，赋予其卓越的图形性能。SK海力士预计，今年8GB移动DRAM芯片的需求将增加，因为它们将成为今年智能手机的流行配置。
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